國家存儲器基地項目

    分類:招标案例 作者:總管理員 發布時間:2018-12-28 閱讀量:4617

    “國家存儲器基地”項目位于武漢東湖高新區武漢未來科技城,将建設3座全球單座潔淨面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、一座總部研發大樓和其他若幹配套建築。我公司順利獲得“國家存儲器基地”項目的招标代理權,項目總投資高達240億美元,全面建成後将實現我國集成電路存儲芯片産業規模化發展“零”的突破。

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